한 가지 유형은 반도체 광증폭기가 반도체 재료로 만들어지고 피드백이 없는 반도체 진행파 광증폭기로 간주될 수 있다는 것이다.
다른 하나는 두 가지 유형을 포함하는 광섬유 증폭기입니다. 하나는 강한 광원을 사용하여 광섬유를 여기시켜 광섬유가 비선형 효과를 생성하고 라만 산란이 발생하는 비선형 광섬유 증폭기입니다. 광섬유의 이 여기된 부분에서 전송 과정에서 증폭됩니다. 가장 큰 단점은 펌프 소스(약 0.5~1W)로 고출력 반도체 레이저를 필요로 하기 때문에 현재로서는 실용화가 어렵다는 점이다. 다른 유형의 광섬유 증폭기는 에르븀 도핑된 광섬유 증폭기(EDFA)이고, 에르븀(Er)은 일종의 희토류 원소입니다. 그것은 코어에 주입되어 특수 광섬유를 형성하여 펌프 빛의 작용으로 특정 파장의 광 신호를 직접 증폭 할 수 있으므로 도핑이라고합니다. 에르븀 광섬유 증폭기. 에르븀 도핑된 광섬유 증폭기는 일련의 장점을 가지고 있기 때문에 최근 몇 년 동안 빠르게 발전하여 널리 채택되었습니다.
에르븀이 도핑된 광섬유 증폭기의 주요 장점은 다음과 같습니다.
(1) 작동 파장은 광섬유의 최소 손실 창과 일치하는 1.53~1.56μm의 범위에 있습니다.
(2) 에르븀 도핑된 섬유를 자극하기 위한 펌프 전력은 수십 밀리와트에 불과합니다. 라만 증폭기는 여기를 위해 0.5~1W의 펌프 소스가 필요합니다.
(3) 게인이 높고 노이즈가 적으며 출력 전력이 큽니다. 그것의 이득은 40dB에 도달할 수 있고, 잡음 지수는 3~4dB만큼 낮을 수 있고, 출력 전력은 14~20dBm에 도달할 수 있습니다.
(4) 연결 손실이 낮다. 광섬유 증폭기이기 때문에 광섬유와 연결하기 쉽고 연결 손실이 0.1dB까지 낮을 수 있습니다.
