데이터 센터 고속 상호 연결 분야에서 핵심적인 차이점은 다음과 같습니다. 400G 광 트랜시버 그리고 800G 광 트랜시버 기술적 경로와 응용 시나리오의 차이에 있습니다.

전송 속도와 변조 기술이 핵심적인 차이점입니다. 400G는 NRZ 변조를 사용하여 4개의 100Gbps 채널을 통해 병렬로 전송합니다. 800G는 PAM4 기술로 업그레이드되어 각 채널이 200Gbps를 지원하여 4개 채널을 통해 800Gbps를 달성합니다. 이는 주파수 효율을 향상시키지만 신호 처리에 대한 요구 사항이 더 엄격해집니다.

패키징 및 파장 구성 측면에서 400G는 주로 다중 모드 850nm 또는 단일 모드 1310nm/1550nm 파장의 QSFP-DD/OSFP 패키지를 채택합니다. 800G는 파장 다중화를 통해 4개의 200G PAM4 채널을 동일한 패키지에 통합하고, 집적도를 높이기 위해 실리콘 포토닉스를 도입합니다. 이는 집적도를 두 배로 높이는 반면, 열 관리 및 칩에 대한 요구 사항을 증가시킵니다.

응용 프로그램 시나리오의 경우, 400G는 데이터 센터 리프-스파인 상호 연결 및 5G 백홀(멀티모드 200m ~ 싱글모드 10km)과 같은 중간 규모 시나리오에 적합합니다. 800G는 하이퍼스케일 데이터 센터 및 AI 컴퓨팅 클러스터의 코어 계층 상호 연결과 같은 하이엔드 시나리오를 대상으로 하며, 단일 포트 800G 속도 집계와 40km 이상의 장거리 전송이 필요합니다.

산업 생태계에서 400G는 틈새 패키징을 지속적으로 최적화하는 반면, 800G는 소형화된 코히어런트 모듈과 공동 패키징된 광학 장치와 같은 혁신을 통해 산업을 고도의 통합으로 이끌어 "고속에서 초고속으로" 이어지는 기술적 상호 보완성을 형성합니다.

광통신 분야의 혁신적인 기업으로서, 파이버WDM 400G/800G 광 트랜시버의 전체 범위를 제공합니다.

• 400G 제품은 QSFP-DD/OSFP 패키지를 포함하고, 200m-10km 전송을 지원하며, 데이터 센터와 5G 프런트홀을 위한 12W 저전력 설계를 특징으로 하며, 안정성과 비용의 균형을 맞춥니다.

• 800G 모듈은 PAM4와 실리콘 포토닉스를 활용하여 12~15W의 전력 소비를 달성하고, 40km 장거리 상호 연결과 AI 클러스터 단거리 상호 연결을 지원하며, 고밀도 에너지 효율 요구 사항을 충족합니다.
  모든 제품은 엄격한 테스트를 통과했으며, 네트워크 아키텍처 전반에서 효율적인 데이터 전송을 가능하게 하는 맞춤형 솔루션을 제공합니다.

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